機能
ファームウェアの機能
- ECC機能
- Early Move
- ウェアレベリング
ハードウェアの機能
- RoHS 2.0指令対応製品
- 静電気放電耐性(IEC 61000-4-2)
- SD 5.1規格に準拠
- UHS-I規格に対応
- スピードクラス10に対応
- アプリケーションパフォーマンスクラス1 (A1)に対応
- 耐久性: 3K P/Eサイクル
- 2GBのmicroSD 420Tは、MLC NANDフラッシュが使用されていますが、UHS-IやA1に非対応です。
USD410M
MLC NANDフラッシュ採用、厳しい環境下でも安定した動作をするための特長を持つ
A1対応の組込みにも最適なmicroSDカード。
- シリーズ
- カテゴリー
USD410Mの主な特長
高品質のMLC NANDフラッシュを使用しているトランセンドのmicroSD/SDHC 410Mカードは、厳しい環境下でも安定した動作を提供します。高速データ転送が提供できるので、より優れたパフォーマンスと信頼性が求められる輸送、通信、IoTアプリケーションなどの組込みシステムに最適です。
USD410M - MLC NAND採用の産業用microSDカード
| 製品名 | メーカー型番 | TEKWIND型番 | JAN/UPC | 直運営ECでの購入 |
|---|---|---|---|---|
| TS32GUSD410M（32GB） | TS32GUSD410M | MEM-TS32GUSD410M | 0760557853213 | 法人向け |
| TS16GUSD410M（16GB） | TS16GUSD410M | MEM-TS16GUSD410M | 0760557847304 | 法人向け |
| TS8GUSD410M（8GB） | TS8GUSD410M | MEM-TS8GUSD410M | 0760557847243 | 法人向け |
| TS4GUSD410M（4GB） | TS4GUSD410M | MEM-TS4GUSD410M | 0760557847281 | 法人向け |
| TS2GUSD410M（2GB） | TS2GUSD410M | MEM-TS2GUSD410M | 0760557847274 | 法人向け |
トランセンド ✕ テックウインドが提供する
交渉のしやすさや
サポートの享受といった点で強いテックウインド
テックウインドは、トランセンド社との密なコミュニケーションを取っているため他代理店に比べて、レスポンスが早いのが特長です。メーカーからすると「もうちょっと早く言ってくれれば・・・」というような状況が少ないため、お客様にとっては交渉のしやすさやメーカーからの技術サポートの享受といった点でメリットがあります。
製品仕様 SPEC
TS32GUSD410M（32GB）
MEM-TS32GUSD410M
基本仕様
- サイズ
- 11 mm x 15 mm x 1 mm (0.43" x 0.59" x 0.04")
- フォームファクター
- microSDカード
- フラッシュ種類
- MLC NANDフラッシュ
- 容量
- 32 GB
- 動作電圧
- 2.7V ~ 3.6V
- 落下試験
- 1.5m自由落下
- 動作環境温度
- 標準 -25°C (-13°F) ~ 85°C (185°F)
- 保管温度
- -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
- 湿度
- 0% ~ 95%
- 耐衝撃
- 加速度: 490 m/s² (保持時間: 11ms、正弦半波、速度変化: 3.44m/s)
- 耐振動(動作時)
- 20 G (最大振幅), 20 Hz ~ 2,000 Hz (周波数)
- 最大消費電力
- 0.72 ワット
- 読出し(最大)
- 最大 95 MB/s
- 書込み(最大)
- 最大 50 MB/s
- TBW [総書込み容量] (最大値)
- 最大 86 TBW
- 注記
- 転送速度はホストのハードウェア、ソフトウェア、使用方法、ストレージ容量等によって異なる場合があります。
TBWは最大容量での値です - 保証
- CE/FCC
- 保証規定
- ・保証規定についてはこちら（https://jp.transcend-info.com/Warranty）でご確認ください。
・メモリ製品を使用するインダストリアルアプリケーションは多岐に渡り、使用条件や環境も様々であるため、トランセンドは全ての機器との互換性や安定動作を保証することができません。特定の仕様に関して不明なことがあれば事前にお問い合わせいただくことをお勧めいたします。 - 備考
- microSDHC I、V10、U1、A1
法令関連
- 電気用品安全(PSE)
- 対象外
- 電波法(TELEC認証)
- 対象外
- RoHS対応
- RoHS対応
TS16GUSD410M（16GB）
MEM-TS16GUSD410M
基本仕様
- サイズ
- 11 mm x 15 mm x 1 mm (0.43" x 0.59" x 0.04")
- フォームファクター
- microSDカード
- フラッシュ種類
- MLC NANDフラッシュ
- 容量
- 16 GB
- 動作電圧
- 2.7V ~ 3.6V
- 落下試験
- 1.5m自由落下
- 動作環境温度
- 標準、-25°C (-13°F) ~ 85°C (185°F)
- 保管温度
- -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
- 湿度
- 0% ~ 95%
- 耐衝撃
- 加速度: 490 m/s² (保持時間: 11ms、正弦半波、速度変化: 3.44m/s)
- 耐振動(動作時)
- 20 G (最大振幅), 20 Hz ~ 2,000 Hz (周波数)
- 最大消費電力
- 0.72 ワット
- 読出し(最大)
- 最大 95 MB/s
- 書込み(最大)
- 最大 30 MB/s
- TBW [総書込み容量] (最大値)
- 最大 86 TBW
- 注記
- 転送速度はホストのハードウェア、ソフトウェア、使用方法、ストレージ容量等によって異なる場合があります。
- 認証
- CE/FCC
- 保証
- 3年保証
- 保証規定
- ・保証規定についてはこちらでご確認ください。
https://jp.transcend-info.com/Warranty
・メモリ製品を使用するインダストリアルアプリケーションは多岐に渡り、使用条件や環境も様々であるため、トランセンドは全ての機器との互換性や安定動作を保証することができません。特定の仕様に関して不明なことがあれば事前にお問い合わせいただくことをお勧めいたします。 - 備考
- microSDHC I、V10、U1、A1
法令関連
- 電気用品安全(PSE)
- 対象外
- 電波法(TELEC認証)
- 対象外
- RoHS対応
- RoHS対応
TS8GUSD410M（8GB）
MEM-TS8GUSD410M
基本仕様
- サイズ
- 11 mm x 15 mm x 1 mm (0.43" x 0.59" x 0.04")
- フォームファクター
- microSDカード
- フラッシュ種類
- MLC NANDフラッシュ
- 容量
- 8 GB
- 動作電圧
- 2.7V ~ 3.6V
- 落下試験
- 1.5m自由落下
- 動作環境温度
- 標準、-25°C (-13°F) ~ 85°C (185°F)
- 保管温度
- -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
- 湿度
- 0% ~ 95%
- 耐衝撃
- 加速度: 490 m/s² (保持時間: 11ms、正弦半波、速度変化: 3.44m/s)
- 耐振動(動作時)
- 20 G (最大振幅), 20 Hz ~ 2,000 Hz (周波数)
- 最大消費電力
- 0.72 ワット
- 読出し(最大)
- 最大 95 MB/s
- 書込み(最大)
- 最大 30 MB/s
- TBW [総書込み容量] (最大値)
- 最大 86 TBW
- 注記
- 転送速度はホストのハードウェア、ソフトウェア、使用方法、ストレージ容量等によって異なる場合があります。
- 認証
- CE/FCC
- 保証
- 3年保証
- 保証規定
- ・保証規定についてはこちらでご確認ください。
https://jp.transcend-info.com/Warranty
・メモリ製品を使用するインダストリアルアプリケーションは多岐に渡り、使用条件や環境も様々であるため、トランセンドは全ての機器との互換性や安定動作を保証することができません。特定の仕様に関して不明なことがあれば事前にお問い合わせいただくことをお勧めいたします。 - 備考
- microSDHC I、V10、U1、A1
法令関連
- 電気用品安全(PSE)
- 対象外
- 電波法(TELEC認証)
- 対象外
- RoHS対応
- RoHS対応
TS4GUSD410M（4GB）
MEM-TS4GUSD410M
基本仕様
- サイズ
- 11 mm x 15 mm x 1 mm (0.43" x 0.59" x 0.04")
- フォームファクター
- microSDカード
- フラッシュ種類
- MLC NANDフラッシュ
- 容量
- 4 GB
- 動作電圧
- 2.7V ~ 3.6V
- 落下試験
- 1.5m自由落下
- 動作環境温度
- 標準、-25°C (-13°F) ~ 85°C (185°F)
- 保管温度
- -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
- 湿度
- 0% ~ 95%
- 耐衝撃
- 加速度: 490 m/s² (保持時間: 11ms、正弦半波、速度変化: 3.44m/s)
- 耐振動(動作時)
- 20 G (最大振幅), 20 Hz ~ 2,000 Hz (周波数)
- 最大消費電力
- 0.72 ワット
- 読出し(最大)
- 最大 95 MB/s
- 書込み(最大)
- 最大 30 MB/s
- TBW [総書込み容量] (最大値)
- 最大 86 TBW
- 注記
- 転送速度はホストのハードウェア、ソフトウェア、使用方法、ストレージ容量等によって異なる場合があります。
- 認証
- CE/FCC
- 保証
- 3年保証
- 保証規定
- ・保証規定についてはこちらでご確認ください。
https://jp.transcend-info.com/Warranty
・メモリ製品を使用するインダストリアルアプリケーションは多岐に渡り、使用条件や環境も様々であるため、トランセンドは全ての機器との互換性や安定動作を保証することができません。特定の仕様に関して不明なことがあれば事前にお問い合わせいただくことをお勧めいたします。 - 備考
- microSDHC I、V10、U1、A1
法令関連
- 電気用品安全(PSE)
- 対象外
- 電波法(TELEC認証)
- 対象外
- RoHS対応
- RoHS対応
TS2GUSD410M（2GB）
MEM-TS2GUSD410M
基本仕様
- サイズ
- 11 mm x 15 mm x 1 mm (0.43" x 0.59" x 0.04")
- フォームファクター
- microSDカード
- フラッシュ種類
- MLC NANDフラッシュ
- 容量
- 2GB
- 動作電圧
- 2.7V ~ 3.6V
- 落下試験
- 1.5m自由落下
- 動作環境温度
- 標準、-25°C (-13°F) ~ 85°C (185°F)
- 保管温度
- -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
- 湿度
- 0% ~ 95%
- 耐衝撃
- 加速度: 490 m/s² (保持時間: 11ms、正弦半波、速度変化: 3.44m/s)
- 耐振動(動作時)
- 20 G (最大振幅), 20 Hz ~ 2,000 Hz (周波数)
- 最大消費電力
- 0.72 ワット
- 読出し(最大)
- 最大 95 MB/s
- 書込み(最大)
- 最大 30 MB/s
- TBW [総書込み容量] (最大値)
- 最大 86 TBW
- 注記
- 転送速度はホストのハードウェア、ソフトウェア、使用方法、ストレージ容量等によって異なる場合があります。
- 認証
- CE/FCC
- 保証
- 3年保証
- 保証規定
- ・保証規定についてはこちらでご確認ください。
https://jp.transcend-info.com/Warranty
・メモリ製品を使用するインダストリアルアプリケーションは多岐に渡り、使用条件や環境も様々であるため、トランセンドは全ての機器との互換性や安定動作を保証することができません。特定の仕様に関して不明なことがあれば事前にお問い合わせいただくことをお勧めいたします。 - 備考
- microSD
法令関連
- 電気用品安全(PSE)
- 対象外
- 電波法(TELEC認証)
- 対象外
- RoHS対応
- RoHS対応