トランセンドの産業用ストレージソリューションは、メモリセルを96層スタックした前世代の3D NANDフラッシュよりも優れたパフォーマンスが提供できる112層の3D NANDフラッシュを活用しています。
高密度ストレージ
112層の3D NANDフラッシュは、より高いストレージ密度を可能にします。メモリセルのスタック数が96層から112層に増えたことで、ウエハーあたりのストレージ密度は前世代から50%向上し、ダイあたりの記憶容量は1Tbに達し、BiCS4の512Gbと比較して2倍になります。ストレージ密度が高くなれば、ビットあたりの単価が低くなるので、より大きな容量を競争力のあるコストで利用できます。
| NANDの種類 | 112層 3D TLC |
96層 3D TLC |
64層 3D TLC |
|---|---|---|---|
| ビット/セル | 3 | 3 | 3 |
| 記憶容量/ダイ | ★★★★ | ★★★ | ★★★ |
| パフォーマンス | ★★ | ★ | ★ |
| 耐久性(P/Eサイクル) | 3K | 3K | 1K |
| 信頼性(データリテンション) | ★★ | ★★ | ★ |
| 消費電力 | 中 | 中 | 中 |
| コスト/Gb | $ | $$ | $$$ |
| 特色 | パフォーマンスが重視されるインダストリアル機器で利用 | SSDや多くのインダストリアル機器で利用 | コンシューマ製品で多く利用 |
- 注記: P/EサイクルはNANDフラッシュの種類、試験環境、プロセスノードによって異なります。
高速パフォーマンス
大容量化だけでなく、112層の3D NANDフラッシュは前世代よりも処理能力が50%優れており、より高速なI/Oパフォーマンスを提供します。PCIe Gen 4x4 SSDに112層のNANDフラッシュを採用すると、これまで以上のパフォーマンスが期待できるので、高速化と低遅延が求められる5G、自動車、AIoT、クラウドコンピューティングアプリケーションに最適です。
付加価値を高める技術
トランセンドは、信頼性を強化するために、112層の3D NANDフラッシュに培ってきた技術を加えることで、製品寿命を延ばし、パフォーマンスを最適化しています。更に、温度拡張、SLCキャッシュ、RAIDエンジン、LDPC ECCなどを利用することでデータの整合性を高め、データアクセス量の多いアプリケーションでより長く使用できます。
製品一例
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