MTE720T

112層3D NANDフラッシュ、8チャンネルコントローラー、PCIe Gen 4 x4インターフェースを組み合わせたM.2 SSD。NVMe 1.4規格準拠で、高速なデータ転送スピードを実現しています。

MTE720Tの主な特長
112層の3D NANDフラッシュ、8チャンネルコントローラ、PCI Express (PCIe) Gen 4 x4インターフェースを組み合わせたトランセンドのMTE720T M.2 SSDは、NVM Express (NVMe) 1.4規格に準拠しており、これまでにない高速データ転送スピードを実現しています。また、高速アクセスを可能にするDRAMキャッシュ、信号伝送品質を高める30µインチ厚の金端子、主要部品の半田接合を補助するコーナーボンドの適用に加え、厳格な試験によって-20°C~75°Cで動作することを確認しています。

MTE720T ― NVMe PCIe Gen4のM.2産業用SSD

製品名 メーカー型番 TEKWIND型番 JAN/UPC 直運営ECでの購入
TS512GMTE720T TS512GMTE720T MEM-TS512GMTE720T 0760557859215 法人向け
TS1TMTE720T TS1TMTE720T MEM-TS1TMTE720T 0760557858225 法人向け
TS2TMTE720T TS2TMTE720T MEM-TS2TMTE720T 0760557859222 法人向け
TS4TMTE720T TS4TMTE720T MEM-TS4TMTE720T 0760557861058 法人向け

機能

ファームウェアの機能

  • NVMコマンド対応
  • ダイナミック・サーマル・スロッタリング
  • LDPC ECC機能
  • ウェアレベリングとブロックマネージメント
  • ガベージコレクション
  • S.M.A.R.T.機能に対応し、ストレージデバイスの状態を監視/分析/報告
  • TRIMコマンドに対応
  • NCQコマンドに対応
  • ドライブ全体をAES暗号化 (オプション)

ハードウェアの機能

  • RoHS 2.0指令対応製品
  • NVM Express Rev. 1.4
  • PCI Express Rev. 4.0
  • 省スペースのM.2フォームファクタ(80mm)
  • PCIe Gen 4 x4インターフェース
  • DDR4 DRAMキャッシュ搭載
  • 耐久性: 3K P/Eサイクル
  • 主要部品にコーナーボンドを適用
  • 30uインチ厚のPCB金端子部
  • 空気中の硫黄成分との化学反応を抑制する硫化対策チップ抵抗器
  • データアクセス中に電断が発生した場合のデバイス障害のリスクを低減し、データの整合性を確保するPower Shield
  • 幅広い温度帯(-20°C~75°C)で動作可能
  • Scope Proソフトウェア

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製品仕様 SPEC

TS512GMTE720T

MEM-TS512GMTE720T

基本仕様

サイズ
80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15" x 0.87" x 0.14")
重量
9 g (0.32 oz)
M.2規格
2280-D2-M (両面実装)
フォームファクター
M.2 2280
バスインターフェース
NVMe PCIe Gen4 x4
フラッシュ種類
112層3D NANDフラッシュ
容量
512 GB
動作電圧
3.3V±5%
動作環境温度
温度拡張:-20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F)
保管温度
-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
湿度
5% ~ 95%
耐衝撃
1500 G、0.5 ms、3軸
耐振動(動作時)
20 G (最大振幅), 7 Hz ~ 2000 Hz (周波数)
消費電力(動作時)
5.8 ワット
消費電力 (IDLE)
0.8 ワット
シーケンシャルリード/ライト(CrystalDiskMark, 最大値)
読出し: 最大 7,500 MB/s
書込み: 最大 6,700 MB/s
4Kランダムリード/ライト(IOmeter, 最大値)
読出し: 最大 540,000 IOPS
書込み: 最大 440,000 IOPS
MTBF [平均故障間隔]
3,000,000 時間
TBW [総書込み容量] (最大値)
最大 5,920 TBW
DWPD [1日あたりのドライブ書込み数]
1.35 (3 年)
注記
・転送速度はホストのハードウェア、ソフトウェア、使用方法、ストレージ容量等によって異なる場合があります。
・DWPDの算出に使用される条件は実際の使用環境とは異なる場合があり、ホストのハードウェア、ソフトウェア、使用状況、ストレージ容量によって異なることがあります。
・TBWは最大容量での値です
認証
CE/UKCA/FCC/BSMI
保証規定
・保証規定についてはこちら(https://jp.transcend-info.com/Warranty)でご確認ください。
・トランセンドのScope Proソフトウェアにて寿命インジケータが0%となっている場合は保証の対象外となります。
・メモリ製品を使用するインダストリアルアプリケーションは多岐に渡り、使用条件や環境も様々であるため、トランセンドは全ての機器との互換性や安定動作を保証することができません。特定の仕様に関して不明なことがあれば事前にお問い合わせいただくことをお勧めいたします。
・Scope Proソフトウェアの詳細についてはお問い合わせください。

法令関連

電気用品安全(PSE)
対象外
電波法(TELEC認証)
対象外
RoHS対応
RoHS対応

TS1TMTE720T

MEM-TS1TMTE720T

基本仕様

サイズ
80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15" x 0.87" x 0.14")
重量
9 g (0.32 oz)
M.2規格
2280-D2-M (両面実装)
フォームファクター
M.2 2280
バスインターフェース
NVMe PCIe Gen4 x4
フラッシュ種類
112層3D NANDフラッシュ
容量
1 TB
動作電圧
3.3V±5%
動作環境温度
温度拡張:-20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F)
保管温度
-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
湿度
5% ~ 95%
耐衝撃
1500 G、0.5 ms、3軸
耐振動(動作時)
20 G (最大振幅), 7 Hz ~ 2000 Hz (周波数)
消費電力(動作時)
5.8 ワット
消費電力 (IDLE)
0.8 ワット
シーケンシャルリード/ライト(CrystalDiskMark, 最大値)
読出し: 最大 7,500 MB/s
書込み: 最大 6,700 MB/s
4Kランダムリード/ライト(IOmeter, 最大値)
読出し: 最大 540,000 IOPS
書込み: 最大 440,000 IOPS
MTBF [平均故障間隔]
3,000,000 時間
TBW [総書込み容量] (最大値)
最大 5,920 TBW
DWPD [1日あたりのドライブ書込み数]
1.35 (3 年)
注記
・転送速度はホストのハードウェア、ソフトウェア、使用方法、ストレージ容量等によって異なる場合があります。
・DWPDの算出に使用される条件は実際の使用環境とは異なる場合があり、ホストのハードウェア、ソフトウェア、使用状況、ストレージ容量によって異なることがあります。
・TBWは最大容量での値です
認証
CE/UKCA/FCC/BSMI
保証規定
・保証規定についてはこちら(https://jp.transcend-info.com/Warranty)でご確認ください。
・トランセンドのScope Proソフトウェアにて寿命インジケータが0%となっている場合は保証の対象外となります。
・メモリ製品を使用するインダストリアルアプリケーションは多岐に渡り、使用条件や環境も様々であるため、トランセンドは全ての機器との互換性や安定動作を保証することができません。特定の仕様に関して不明なことがあれば事前にお問い合わせいただくことをお勧めいたします。
・Scope Proソフトウェアの詳細についてはお問い合わせください。

法令関連

電気用品安全(PSE)
対象外
電波法(TELEC認証)
対象外
RoHS対応
RoHS対応

TS2TMTE720T

MEM-TS2TMTE720T

基本仕様

サイズ
80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15" x 0.87" x 0.14")
重量
9 g (0.32 oz)
M.2規格
2280-D2-M (両面実装)
フォームファクター
M.2 2280
バスインターフェース
NVMe PCIe Gen4 x4
フラッシュ種類
112層3D NANDフラッシュ
容量
2 TB
動作電圧
3.3V±5%
動作環境温度
温度拡張:-20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F)
保管温度
-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
湿度
5% ~ 95%
耐衝撃
1500 G、0.5 ms、3軸
耐振動(動作時)
20 G (最大振幅), 7 Hz ~ 2000 Hz (周波数)
消費電力(動作時)
5.8 ワット
消費電力 (IDLE)
0.8 ワット
シーケンシャルリード/ライト(CrystalDiskMark, 最大値)
読出し: 最大 7,500 MB/s
書込み: 最大 6,700 MB/s
4Kランダムリード/ライト(IOmeter, 最大値)
読出し: 最大 540,000 IOPS
書込み: 最大 440,000 IOPS
MTBF [平均故障間隔]
3,000,000 時間
TBW [総書込み容量] (最大値)
最大 5,920 TBW
DWPD [1日あたりのドライブ書込み数]
1.35 (3 年)
注記
・転送速度はホストのハードウェア、ソフトウェア、使用方法、ストレージ容量等によって異なる場合があります。
・DWPDの算出に使用される条件は実際の使用環境とは異なる場合があり、ホストのハードウェア、ソフトウェア、使用状況、ストレージ容量によって異なることがあります。
・TBWは最大容量での値です
認証
CE/UKCA/FCC/BSMI
保証規定
保証規定についてはこちら(https://jp.transcend-info.com/Warranty)でご確認ください。
トランセンドのScope Proソフトウェアにて寿命インジケータが0%となっている場合は保証の対象外となります。
メモリ製品を使用するインダストリアルアプリケーションは多岐に渡り、使用条件や環境も様々であるため、トランセンドは全ての機器との互換性や安定動作を保証することができません。特定の仕様に関して不明なことがあれば事前にお問い合わせいただくことをお勧めいたします。
Scope Proソフトウェアの詳細についてはお問い合わせください。

法令関連

電気用品安全(PSE)
対象外
電波法(TELEC認証)
対象外
RoHS対応
RoHS対応

TS4TMTE720T

MEM-TS4TMTE720T

基本仕様

サイズ
80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15" x 0.87" x 0.14")
重量
9 g (0.32 oz)
M.2規格
2280-D2-M (両面実装)
フォームファクター
M.2 2280
バスインターフェース
NVMe PCIe Gen4 x4
フラッシュ種類
112層3D NANDフラッシュ
容量
4 TB
動作電圧
3.3V±5%
動作環境温度
温度拡張:-20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F)
保管温度
-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
湿度
5% ~ 95%
耐衝撃
1500 G、0.5 ms、3軸
耐振動(動作時)
20 G (最大振幅), 7 Hz ~ 2000 Hz (周波数)
消費電力(動作時)
5.8 ワット
消費電力 (IDLE)
0.8 ワット
シーケンシャルリード/ライト(CrystalDiskMark, 最大値)
読出し: 最大 7,500 MB/s
書込み: 最大 6,700 MB/s
4Kランダムリード/ライト(IOmeter, 最大値)
読出し: 最大 540,000 IOPS
書込み: 最大 440,000 IOPS
MTBF [平均故障間隔]
3,000,000 時間
TBW [総書込み容量] (最大値)
最大 5,920 TBW
DWPD [1日あたりのドライブ書込み数]
1.35 (3 年)
注記
・転送速度はホストのハードウェア、ソフトウェア、使用方法、ストレージ容量等によって異なる場合があります。
・DWPDの算出に使用される条件は実際の使用環境とは異なる場合があり、ホストのハードウェア、ソフトウェア、使用状況、ストレージ容量によって異なることがあります。
・TBWは最大容量での値です
認証
CE/UKCA/FCC/BSMI
保証規定
・保証規定についてはこちら(https://jp.transcend-info.com/Warranty)でご確認ください。
・トランセンドのScope Proソフトウェアにて寿命インジケータが0%となっている場合は保証の対象外となります。
・メモリ製品を使用するインダストリアルアプリケーションは多岐に渡り、使用条件や環境も様々であるため、トランセンドは全ての機器との互換性や安定動作を保証することができません。特定の仕様に関して不明なことがあれば事前にお問い合わせいただくことをお勧めいたします。
・Scope Proソフトウェアの詳細についてはお問い合わせください。

法令関連

電気用品安全(PSE)
対象外
電波法(TELEC認証)
対象外
RoHS対応
RoHS対応